型番

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 75 V, 6.1 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223

RS品番:: 244-2262
メーカー型番:: IPN50R2K0CEATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 75 V, 6.1 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223

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15000 - 27000	￥32.335	￥97,005
30000 - 72000	￥31.452	￥94,356
75000 - 147000	￥30.57	￥91,710
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RS品番:: 244-2262
メーカー型番:: IPN50R2K0CEATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	6.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	75V
	パッケージ型式	SOT-223
	シリーズ	IPN
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3mΩ
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	順方向電圧 Vf	1.3V
	最大許容損失Pd	81W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 6.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V
	パッケージ型式 SOT-223
	シリーズ IPN
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	順方向電圧 Vf 1.3V
	最大許容損失Pd 81W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPN50R2K0CEATMA1

InfineonのCoolMOSTM CEパワーMOSFETは、お客様の要求を満たすためにスーパージャンクション原理（SJ）に従って設計された高耐圧パワーMOSFETです。

非常に低いFOM RDS(on) x QgおよびEoss.により、非常に低い損失を実現

優れた整流耐性

取り扱い/駆動が簡単

鉛未使用めっき、ハロゲン未使用成形コンパウンド

標準グレードの用途に適合

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