Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 6.1 A, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥72,900.00

(税抜)

￥80,190.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥24.30￥72,900
15000 - 27000￥23.897￥71,691
30000 - 72000￥23.245￥69,735
75000 - 147000￥22.593￥67,779
150000 +￥21.941￥65,823

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
244-2262
メーカー型番:
IPN50R2K0CEATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

IPN

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

InfineonのCoolMOSTM CEパワーMOSFETは、お客様の要求を満たすためにスーパージャンクション原理（SJ）に従って設計された高耐圧パワーMOSFETです。

非常に低いFOM RDS(on) x QgおよびEoss.により、非常に低い損失を実現

優れた整流耐性

取り扱い/駆動が簡単

鉛未使用めっき、ハロゲン未使用成形コンパウンド

標準グレードの用途に適合

関連ページ