Vishay MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 8.9 A, 0.0247 Ω, 6.3 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAIR 3 x 3S
- RS品番:
- 256-7437
- メーカー型番:
- SIZ260DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7437
- メーカー型番:
- SIZ260DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PowerPAIR 3 x 3S | |
| シリーズ | SIZ260DT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0247Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| 最大許容損失Pd | 33W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3S | ||
シリーズ SIZ260DT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0247Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.3nC | ||
最大許容損失Pd 33W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
幅 3.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIZ260DTシリーズMOSFET、最大消費電力33W、最大ドレインソース電圧80V - SIZ260DT-T1-GE3
このMOSFETは、コンパクトな電子機器の電源スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、中程度の電圧処理と高い連続電流能力を必要とする用途に適しています。このデバイスはRoHS準拠で、高密度基板レイアウト用のコンパクトなPowerPAIR 3x3Sパッケージで提供されます。
特長：
• 80Vドレイン・ソース定格により、中電圧スイッチングが可能
• 8.9Aの連続ドレイン電流により、高負荷回路をサポート
• 0.0247Ω Rds(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 6.3nC 標準ゲート電荷により、より高速なゲートドライブ応答を実現
• 33Wの最大消費電力により、熱ストレスを管理
• 20Vゲート・ソース・リミットにより、広いゲート・ドライブ・マージンを実現
• 8.9Aの連続ドレイン電流により、高負荷回路をサポート
• 0.0247Ω Rds(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 6.3nC 標準ゲート電荷により、より高速なゲートドライブ応答を実現
• 33Wの最大消費電力により、熱ストレスを管理
• 20Vゲート・ソース・リミットにより、広いゲート・ドライブ・マージンを実現
用途
• DC-DCコンバータースイッチング段階に最適
• モータードライブハーフブリッジ構成に使用
• 通信機器の電力管理に最適
• SMPSの同期整流に使用可能
• コンパクトボードの高電流負荷スイッチに最適
• モータードライブハーフブリッジ構成に使用
• 通信機器の電力管理に最適
• SMPSの同期整流に使用可能
• コンパクトボードの高電流負荷スイッチに最適
どのようなパッケージフットプリントを取り付ける必要がありますか?
このデバイスは、公称フットプリント3.3 mm x 3.3 mmと8ピンのPowerPAIR 3x3S表面実装パッケージで提供されているため、設計パッドはコンパクトな外形に適合する必要があります。
極端な温度下でどのように動作しますか？
-55°C～+150°Cで動作し、その温度範囲内で伝導特性とスイッチング特性を維持することができます。
どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?
最大許容ゲート-ソース電圧:20V
ゲートドライブ回路は、デバイスのストレスを防止するため、Vgsをこの制限内に保つように設計する必要があります。
設計における熱管理はどのように考慮すべきですか?
最大消費電力は33Wで、接点温度を安全な範囲内に保つために、適切なプリント基板銅、サーマルビー、またはヒートシンクを組み込む必要があります。
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