Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 59.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8S, SISS4409DN-T1-GE3

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RS品番:
279-9987
メーカー型番:
SISS4409DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

59.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

1212-8S

シリーズ

SISS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.009Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

56.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

126nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

次世代パワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

超低RDS x Qg FOM製品

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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