1 STMicroelectronics MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 4.5 A, 表面 650 V, 3-Pin エンハンスメント型, STB6N60M2 パッケージTO-263
- RS品番:
- 168-6980
- メーカー型番:
- STB6N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 168-6980
- メーカー型番:
- STB6N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | MDmesh M2 | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25, -25V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4.6mm | |
| 高さ | 9.35mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ MDmesh M2 | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25, -25V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4.6mm | ||
高さ 9.35mm | ||
長さ 10.4mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO（原産国）:
- CN
NチャンネルMDmeshTM M2シリーズ、STMicroelectronics
STMicroelecronicsの高電圧パワーMOSFETシリーズです。 MDmesh M2シリーズは、低ゲート充電と優れた出力静電容量特性により、共振タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)での使用に最適です。