MOSFET・モスフェット 通販 各種メーカー【RS】
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    MOSFET・モスフェット

    MOSFET・モスフェットとは?

    MOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタの略です。これらの多用途の半導体は、日本および世界中で広く使用されており、民生用電子機器から産業オートメーションまで、さまざまな業界で使用されています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタ デバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETの目的は、ソースからドレイン端子に流れる電流の流れを制御することです。スイッチと非常によく似た動作をし、電子信号の切り替えや増幅に使用されます。

    これらの半導体デバイスは、PCB に搭載される IC (集積回路) です。MOSFETには、DPAKD2PAKDFNI2PAKSOICSOT-223TO-220 などのさまざまな標準パッケージ タイプがあります。

    デプレッションモードとエンハンスメントモードとは何ですか?

    MOSFETトランジスタには、デプレッション モードとエンハンスメント モードの 2 つのモードがあります。デプレッション MOSFETは、閉じたスイッチのように動作します。電流が流れていないときは電流が流れます。負の電圧が印加されると、電流は止まります。エンハンスメント モード MOSFETは可変抵抗器のようなもので、一般にデプレッション モード MOSFETよりも人気があります。n チャネルまたは p チャネルのバリエーションがあります。

    MOSFETはどのように機能しますか?

    MOSFETパッケージのピンは、ソース、ゲート、およびドレインです。ゲート端子とソース端子の間に電圧が印加されると、電流はドレイン ピンからソース ピンに流れます。ゲートに印加される電圧が変化すると、ドレインからソースへの抵抗も変化します。印加される電圧が低いほど、抵抗は高くなります。電圧が増加すると、ドレインからソースへの抵抗は減少します。パワー MOSFETは標準 MOSFETに似ていますが、より高いレベルの電力を処理するように設計されています。

    Nチャネル MOSFETとPチャネル MOSFET

    N チャネル MOSFETには、自由に動き回れる追加の電子が含まれています。より一般的なチャネル タイプです。N チャネル MOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると機能します。

    使用例とアプリケーションには次のものがあります:

    • 電源:効率と低電力損失のため、電圧レギュレータや DC-DC コンバータのスイッチング素子としてよく使用されます。
    • モーター制御:N チャネル MOSFETの高速スイッチング機能により、産業機械から電気自動車まで、さまざまなアプリケーションのモーター制御に最適です。
    • ロジック回路:N チャネル MOSFETは、電子回路でスイッチやアンプとして広く使用されており、回路のさまざまな部分間で電流を流すことができます。

    一方、P チャネル MOSFETの基板には、電子と電子ホールが含まれています。P チャネル MOSFETは正電圧に接続されています。これらの MOSFETは、ゲート端子に供給される電圧がソース電圧よりも低い場合にオンになります。

    使用例とアプリケーションには次のものがあります:

    • ハイサイド スイッチ:ローサイド信号で制御できるため、負荷が正電源レールに接続されているハイサイド スイッチング アプリケーションに適しています。
    • 相補回路:CMOS ロジック ゲートなどの相補回路では、N チャネル MOSFETと組み合わせて使用​​されることが多く、電力効率とノイズ耐性が向上します。
    • バッテリー駆動デバイス:消費電流が低いため、電力節約が重要なバッテリー駆動デバイスで役立ちます。

    MOSFETとBJT

    MOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ) には、BJT (バイポーラ接合トランジスタ) に比べていくつかの利点があります:

    • 入力インピーダンスが高い:MOSFETは電圧制御デバイスであるため、動作に必要な入力電流が非常に少なくて済みます。そのため、低消費電力と高効率が重要なアプリケーションに最適です。一方、BJT は電流制御デバイスであるため、導通を維持するために連続ベース電流が必要です。
    • スイッチング速度が速い:MOSFETは BJT よりもはるかに速くオン/オフを切り替えることができるため、スイッチング電源やモーター制御などの高周波アプリケーションに適しています。
    • オン抵抗が低い:MOSFETは通常、BJT よりもオン抵抗 (Rds(on)) が低いため、消費電力が少なくなり、効率が向上します。
    • 熱暴走がない:BJT とは異なり、MOSFETは熱暴走の影響を受けにくくなっています。熱暴走とは、温度が上昇すると電流が増加し、デバイスが損傷する可能性がある現象です。

    ただし、BJT には特定のアプリケーションでいくつかの利点があります:

    • コストが低い:BJT は一般に MOSFETよりも安価であるため、コスト重視の設計に適しています。
    • 電流ゲインが高い:BJT は MOSFETよりも高い電流ゲインを提供できるため、大幅な電流増幅を必要とするアプリケーションに適しています。
    • 線形動作:BJT は、オーディオ アンプなどの線形アプリケーションに適しています。このアプリケーションでは、BJT 固有の電流制御によってよりスムーズな増幅特性が得られます。

    MOSFETの選択基準

    プロジェクトに適した MOSFETを選択するには、いくつかの重要なパラメータを慎重に検討する必要があります。

    • Rds(on) (オン抵抗):これは、MOSFETが完全にオンになっているときのドレイン端子とソース端子間の抵抗を表します。Rds(on) が低いほど、消費電力が少なくなり、効率が向上します。
    • Vgs(th) (しきい値電圧):これは、MOSFETをオンにするために必要な最小ゲート - ソース間電圧です。制御信号電圧と互換性のある Vgs(th) を持つ MOSFETを選択することが重要です。
    • 最大電流/電圧定格:これらは、MOSFETが損傷することなく処理できる最大電流 (Id) と電圧 (Vds) を指定します。アプリケーションの予想される動作条件を超える定格の MOSFETを選択することが重要です。

    MOSFETの産業用途

    MOSFETは幅広い産業用途に使用されており、効率的な電力管理、制御、自動化を実現する上で重要な役割を果たしています。

    • 個別製造業:自動車製造業では、MOSFETは電子制御ユニット (ECU)、モータコントローラ、さまざまなコンポーネントの電源に使用されています。家電製品製造業では、スマートフォン、ラップトップ、テレビなどのデバイスの電力管理に不可欠です。
    • プロセス製造業:化学業界では、MOSFETはプロセス制御システムで温度、圧力、流量を調節するために使用されます。食品および飲料業界では、包装機械、温度制御システム、状態監視システム、冷蔵ユニットに使用されています。
    • エネルギーおよびユーティリティ:発電および配電業では、MOSFETは高電圧 DC 伝送システム、インバータ、および電力コンバータに使用されています。太陽光発電風力発電などの再生可能エネルギーシステムでは、MOSFETはエネルギー収集とグリッド統合を最大化するために不可欠です。
    • 施設およびイントラロジスティクス:ビル自動化システムでは、MOSFETは照明制御システム、HVAC システム、およびセキュリティ システムに使用されています。マテリアル ハンドリングおよびロジスティクスでは、コンベア、無人搬送車 (AGV)、およびロボット システムのモーター ドライブに使用されています。

    MOSFET・モスフェットのメーカー

    RSでは、DiodesZetexをはじめ、Infineon東芝電池VishayロームなどのMOSFET製品を豊富に取り揃えています。

    MOSFET用 RSコンポーネントのご紹介

    RS は、日本全国で使用されているMOSFETのサプライヤー、販売店、製造元として世界的に認知されています。当社の製品は、日本の最高水準の性能と信頼性を満たすように設計されています。さらに、産業用から革新的なプロジェクトまで、さまざまな用途に対応する幅広いMOSFETまたはインサーキットエミュレータを卸売価格で提供しています。MOSFETを選択する際、RSはおすすめ品と交換部品を低価格で提供します。配送サービスと料金の詳細については、配送ページをご覧ください。

    18364 製品が以下で見つかりました MOSFET・モスフェット

    Toshiba
    N
    6 A
    30 V
    -
    SOT-23
    42 mΩ
    表面実装
    3
    ±20 V
    エンハンスメント型
    2.5V
    1.3V
    2 W
    -
    シングル
    1
    -
    +150 °C
    1.8mm
    3.4 nC @ 4.5 V
    2.9mm
    STMicroelectronics
    N
    52 A
    250 V
    MDmesh, SuperMESH
    TO-247
    45 mΩ
    スルーホール
    3
    -30 V, +30 V
    エンハンスメント型
    4.5V
    3V
    300 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    5.15mm
    160 nC @ 10 V
    15.75mm
    Infineon
    N
    49 A
    55 V
    HEXFET
    TO-220AB
    17.5 mΩ
    スルーホール
    3
    -20 V, +20 V
    エンハンスメント型
    4V
    2V
    94 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +175 °C
    9.02mm
    63 nC @ 10 V
    10.67mm
    IXYS
    N
    115 A
    200 V
    HiperFET, Polar
    SOT-227
    18 mΩ
    スクリュー マウント
    4
    -20 V, +20 V
    エンハンスメント型
    5V
    -
    680 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +175 °C
    25.42mm
    240 nC @ 10 V
    38.23mm
    Infineon
    N
    20 A
    600 V
    CoolMOS S5
    TO-247
    190 mΩ
    スルーホール
    3
    -20 V, +20 V
    エンハンスメント型
    5.5V
    3.5V
    208 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    5.3mm
    79 nC @ 10 V
    15.9mm
    Toshiba
    N
    100 mA
    30 V
    -
    SOT-323
    4 Ω
    表面実装
    3
    -20 V, +20 V
    エンハンスメント型
    1.5V
    -
    150 mW
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    1.25mm
    -
    2mm
    onsemi
    N
    140 A
    100 V
    QFET
    TO-3PN
    10 mΩ
    スルーホール
    3
    -25 V, +25 V
    エンハンスメント型
    -
    2V
    375 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +175 °C
    5mm
    220 nC @ 10 V
    15.8mm
    DiodesZetex
    N
    100 mA
    50 V
    -
    SOT-363
    -
    表面実装
    6
    -
    -
    -
    -
    200 mW
    -
    -
    2
    Si
    +150 °C
    1.35mm
    -
    2.2mm
    onsemi
    N
    18 A
    500 V
    UniFET
    TO-220F
    265 mΩ
    スルーホール
    3
    -30 V, +30 V
    エンハンスメント型
    -
    3V
    38.5 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    4.7mm
    45 nC @ 10 V
    10.16mm
    ローム
    P
    4 A
    12 V
    RAF040P01
    SOT-323
    68 mΩ
    表面実装
    3
    -8 V
    エンハンスメント型
    1V
    0.3V
    800 mW
    -
    -
    1
    -
    +150 °C
    1.8mm
    37 nC @ 4.5 V
    2.1mm
    Toshiba
    P
    2 A
    30 V
    SSM3
    UFM
    225 mΩ
    表面実装
    3
    -20 V, +20 V
    エンハンスメント型
    2.6V
    -
    800 mW
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    1.7mm
    -
    2mm
    onsemi
    N
    52 A
    40 V
    -
    LFPAK、SOT-669
    12 mΩ
    表面実装
    4
    ±20 V
    エンハンスメント型
    2V
    1.2V
    38 W
    -
    シングル
    1
    -
    +175 °C
    4.25mm
    7 nC @ 4.5 V
    5mm
    onsemi
    N
    3 A
    20 V
    PowerTrench
    SOT-23
    35 mΩ
    表面実装
    3
    -8 V, +8 V
    エンハンスメント型
    -
    0.4V
    500 mW
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    1.4mm
    7 nC @ 4.5 V
    2.92mm
    onsemi
    N
    6 A
    650 V
    SUPERFET III
    TO-220F
    0.6 Ω
    スルーホール
    3
    -
    -
    4.5V
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    N
    3 A
    800 V
    MDmesh, SuperMESH
    TO-220FP
    3.5 Ω
    スルーホール
    3
    -30 V, +30 V
    エンハンスメント型
    4.5V
    3V
    25 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    4.6mm
    22.5 nC @ 10 V
    10.4mm
    ローム
    N
    1.6 A
    45 V
    RTF016N05
    SOT-323
    280 mΩ
    表面実装
    3
    -12 V, +12 V
    エンハンスメント型
    1.5V
    0.5V
    800 mW
    -
    シングル
    1
    -
    +150 °C
    1.8mm
    2.3 nC @ 4.5 V
    2.1mm
    Nexperia
    N
    3.4 A
    30 V
    -
    SOT-23
    -
    表面実装
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Toshiba
    N
    20 A
    600 V
    TK
    TO-220SIS
    155 mΩ
    スルーホール
    3
    -30 V, +30 V
    エンハンスメント型
    3.7V
    -
    45 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +150 °C
    4.5mm
    48 nC @ 10 V
    10mm
    Vishay
    N
    28 A
    100 V
    -
    TO-220AB
    77 mΩ
    スルーホール
    3
    -20 V, +20 V
    エンハンスメント型
    -
    2V
    150 W
    -
    シングル
    1
    Si
    +175 °C
    4.7mm
    72 nC @ 10 V
    10.41mm
    ローム
    N
    23 A
    600 V
    -
    TO-3PF
    -
    スルーホール
    3
    -
    エンハンスメント型
    -
    -
    -
    -
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    1
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