onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, FDMA430NZ Nチャンネル, 6-Pin, 表面
- RS品番:
- 186-8181
- メーカー型番:
- FDMA430NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 186-8181
- メーカー型番:
- FDMA430NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| トランジスタ極性 | Nチャンネル | |
| 最大許容損失Pd | 2.4W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 6 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 長さ | 2mm | |
| 幅 | 2 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
トランジスタ極性 Nチャンネル | ||
最大許容損失Pd 2.4W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 6 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
長さ 2mm | ||
幅 2 mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- TH
このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS （ on ） @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。
RDS （ ON ） = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A
RDS （ ON ） = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A
低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm
HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV （標準）（注記 3 ）
ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。