onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDMA430NZ

このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS （ on ） @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。

RDS （ ON ） = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A
RDS （ ON ） = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A
低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm
HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV （標準）（注記 3 ）
ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。