UJTトランジスタ

UJTトランジスタ
UJTトランジスタ(UJT)は、1つのジャンクションを備えた3端子ソリッドステート半導体です。タイミング回路、ゲートパルス、トリガジェネレータの用途で使用して、サイリスタ及びトライアックの切り替え及び制御を行うことができます。UJTトランジスタは、電圧制御スイッチのように動作しますが、増幅はしません。UJTのリードは、ベース1、ベース2、エミッタと呼ばれます。
UJTの構造
UJTは、軽くドーピングしたN型シリコンのバーの片側に、激しくドーピングしたP型素材の小片を結合した構造になっています。シリコンバーは軽くドーピングされているため、非常に高い抵抗があります。
UJTの動作
正のバイアス電圧がエミッタに印加されると、P N接合が順方向バイアスになり、電流がPNジャンクションを流れます。これにより、N型バー素材の抵抗が減少します。抵抗が減少すると、ベース1接合での電圧降下も減少して、今度はPN接合に、より激しいバイアスがかかります。
PN接合のバイアスがさらに大きくなるにつれて、順方向電流が大きくなり、バー素材の抵抗がさらに減少します。このとき、UJTは負の抵抗の領域では、UJTの標準動作モードで動作しています。
UJTの特性曲線
UJTのエミッタセクションの抵抗は、入力電圧が特定の大きさに達すると、急速に減少します。これは負の抵抗特性と呼ばれ、この特性こそが、タイミング回路や発振回路でUJTが有用になる理由です。
半導体のドーピングとは
ドーピングとは、シリコンの規則的な結晶格子に異種原子を含めることで、これにより、電気的特性を変化させてP型半導体とN型半導体を生成します。
UJTの別名
ダブルベースダイオード
さまざまなタイプ
ユニジャンクショントランジスタ
コンプリメンタリユニジャンクショントランジスタ
プログラマブルユニジャンクショントランジスタ
基本構造
UJTトランジスタの基本構造は、ベース1、ベース2、P-N接合、シリコンバー、エミッタで構成されます。
使用箇所
UJTトランジスタは通常、シリコン制御の整流器用のトリガ回路で使用されます。
主な目的
UJTトランジスタは、主にパルス及びタイミング回路、サーミスタトリガ回路、検出回路での使用向けに設計されています。
用途情報
UJTトランジスタは、発振器、集積回路の構築など産業用途で使用されています。

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1ページの商品数
商品の概要 価格(最低価格は商品詳細ページでご確認ください) 最大パワー消費 実装タイプ パッケージタイプ ピン数 寸法 高さ 動作温度 Max 動作温度 Min 長さ
RS品番 161-1533
メーカー型番5.0SMDJ20A
メーカーBourns
¥176.40
購入単位は5個
5000 W (最小) 表面実装 DO-214AB (SMC) 2 7.11 x 6.22 x 2.31mm 2.31mm +150 °C -55 °C 6.22mm 7.11mm
RS品番 161-1527
メーカー型番5.0SMDJ20A
メーカーBourns
¥110.281
3000 個
5000 W (最小) 表面実装 DO-214AB (SMC) 2 7.11 x 6.22 x 2.31mm 2.31mm +150 °C -55 °C 6.22mm 7.11mm
RS品番 2508963555
メーカー型番NTE6402
メーカーNTE Electronics
¥259.00
購入単位は1個
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