Vishay MOSFET, Nチャンネル, 70 V, 66.7 A, 4.8 mΩ, 32 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8S
- RS品番:
- 210-5019
- メーカー型番:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 210-5019
- メーカー型番:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 70 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 66.7 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 4.8 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 32 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8S | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.1 V | |
| 高さ | 830 μm | |
| 長さ | 3.4 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 57 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | SiSS78LDN | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.4 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 70 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 66.7 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 4.8 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 32 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8S | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.1 V | ||
高さ 830 μm | ||
長さ 3.4 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 57 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ SiSS78LDN | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.4 mm | ||
The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
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