Vishay MOSFET, タイプN, タイプNチャンネル, 66.7 A 70 V, 表面 エンハンスメント型, 8-Pin, SiSS78LDN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8S
- RS品番:
- 210-5019
- メーカー型番:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- 210-5019
- メーカー型番:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 66.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 70V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8S | |
| シリーズ | SiSS78LDN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.4mm | |
| 高さ | 0.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 66.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 70V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8S | ||
シリーズ SiSS78LDN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.4mm | ||
高さ 0.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Nチャンネル70 V (D-S) MOSFETは、PowerPAK 1212-8Sパッケージタイプです。
TrenchFET Gen IVパワーMOSFET
非常に低いRDS x Qgのメリット数値(FOM)
最低のRDS x Qoss FOMに対応するチューニング
100 % Rg及びUISテスト済み
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