型番

Vishay MOSFET, タイプN, タイプNチャンネル, 66.7 A 70 V, 表面エンハンスメント型, 8-Pin, SiSS78LDN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8S

RS品番:: 210-5020
メーカー型番:: SiSS78LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプN, タイプNチャンネル, 66.7 A 70 V, 表面エンハンスメント型, 8-Pin, SiSS78LDN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8S

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RS品番:: 210-5020
メーカー型番:: SiSS78LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN, タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	66.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	70V
	シリーズ	SiSS78LDN
	パッケージ型式	PowerPAK 1212-8S
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	32nC
	最大許容損失Pd	57W
	順方向電圧 Vf	1.1V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	3.4mm
	高さ	0.83mm
	幅	3.4mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN, タイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 66.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 70V
	シリーズ SiSS78LDN
	パッケージ型式 PowerPAK 1212-8S
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC
	最大許容損失Pd 57W
	順方向電圧 Vf 1.1V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 3.4mm
	高さ 0.83mm
	幅 3.4mm
	自動車規格なし

Vishay Nチャンネル70 V (D-S) MOSFETは、PowerPAK 1212-8Sパッケージタイプです。

TrenchFET Gen IVパワーMOSFET

非常に低いRDS x Qgのメリット数値(FOM)

最低のRDS x Qoss FOMに対応するチューニング

100 % Rg及びUISテスト済み

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