MOSFET(モスフェット)とは、電界効果トランジスタ(FET)に金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたトランジスタです。ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を行うことができるため、モーター駆動 などのスイッチング素子として利用されることが多く、特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。
MOSFETは「ゲート」、「ソース」、「ドレイン」といった3つの端子で構成されます。ゲート端子と他の電極間は酸化膜で絶縁されており、ドレイン・ソース間にはPN接合が形成されており、ダイオードが内蔵された構造になっています。
ゲート・ソース間に電圧が印加されると、ドレイン・ソース間に電流が流れ導通(オン)と非導通(オフ)のスイッチング動作を行います。ゲートに印加される電圧が変化すると、ドレインからソースへの抵抗も変化します。印加電圧が低いほど、抵抗は高くなります。
MOSFETにはNチャネル品とPチャネル品があり、それぞれNMOSFET、PMOSFETと呼ばれています。さらに、動作特性によって、エンハンスメント型とデプレッション型に分類することができます。
小型軽量化が可能で、集積化に対応できるため、マイコンや各種LSIに使用されています。コンバータやインバータなどパワーエレクトロニクスにおけるスイッチング電源として幅広く用いられます。