Adesto Technologies, フラッシュメモリ, 4194304bit, SPI, 8-Pin, AT45DB041E-SSHN-B
- RS品番:
- 173-2859
- メーカー型番:
- AT45DB041E-SSHN-B
- メーカー/ブランド名:
- Adesto Technologies
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¥520,492.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 8000 | ¥130.123 | ¥520,492 |
| 12000 - 16000 | ¥126.219 | ¥504,876 |
| 20000 - 36000 | ¥122.432 | ¥489,728 |
| 40000 - 96000 | ¥118.759 | ¥475,036 |
| 100000 + | ¥115.197 | ¥460,788 |
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- RS品番:
- 173-2859
- メーカー型番:
- AT45DB041E-SSHN-B
- メーカー/ブランド名:
- Adesto Technologies
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Adesto Technologies | |
| メモリサイズ | 4194304bit | |
| インターフェースタイプ | SPI | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 構成 | 2048ページ x 256バイト | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| 動作供給電圧 Min | 1.65 V | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 寸法 | 5.05 x 3.99 x 1.5mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 7ns | |
| 1ワード当たりのビット数 | 2048 | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Adesto Technologies | ||
メモリサイズ 4194304bit | ||
インターフェースタイプ SPI | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
構成 2048ページ x 256バイト | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
動作供給電圧 Min 1.65 V | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
寸法 5.05 x 3.99 x 1.5mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
最大ランダムアクセス時間 7ns | ||
1ワード当たりのビット数 2048 | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
- COO(原産国):
- PH
フラッシュメモリ、Adesto
AT45DB041E は、 1.65 V 以上のシリアルインターフェイスシーケンシャルアクセスフラッシュメモリで、幅広い用途に適しています
デジタル音声、画像、プログラムコード、データ保存アプリケーションに対応しています。AT45DB041E は、 Rapids シリアルもサポートしています
超高速動作を必要とする用途向けのインターフェイスです。その 4,194,304 ビットのメモリは 2,048 ページとして構成されています
256 バイトまたは 264 バイトのいずれかです。AT45DB041E には、メインメモリに加えて、の 2 つの SRAM バッファも含まれています
各 256 バイト /264 バイトバッファにより、メインメモリ内のページを再プログラミングしている間にデータを受信できます。
両方のバッファ間でインターリーブすると、連続データストリームを書き込むシステム Ability が大幅に向上します。インチ
さらに、 SRAM バッファは、追加のシステムスクラッチパッドメモリ、 E2 として使用できます
PROM エミュレーション(ビットまたはバイト
変更可能性)は、自己完結型の 3 ステップの読み取り / 変更 / 書き込み操作で簡単に処理できます
デジタル音声、画像、プログラムコード、データ保存アプリケーションに対応しています。AT45DB041E は、 Rapids シリアルもサポートしています
超高速動作を必要とする用途向けのインターフェイスです。その 4,194,304 ビットのメモリは 2,048 ページとして構成されています
256 バイトまたは 264 バイトのいずれかです。AT45DB041E には、メインメモリに加えて、の 2 つの SRAM バッファも含まれています
各 256 バイト /264 バイトバッファにより、メインメモリ内のページを再プログラミングしている間にデータを受信できます。
両方のバッファ間でインターリーブすると、連続データストリームを書き込むシステム Ability が大幅に向上します。インチ
さらに、 SRAM バッファは、追加のシステムスクラッチパッドメモリ、 E2 として使用できます
PROM エミュレーション(ビットまたはバイト
変更可能性)は、自己完結型の 3 ステップの読み取り / 変更 / 書き込み操作で簡単に処理できます
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
フラッシュメモリ
フラッシュメモリICはブロック単位で書き込み / 消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。
