STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージH2PAK-7, SCT027H65G3AG

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RS品番:
214-954
メーカー型番:
SCT027H65G3AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

H2PAK-7

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

29mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48.6nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

順方向電圧 Vf

2.9V

最大許容損失Pd

300W

動作温度 Max

175°C

高さ

4.8mm

規格 / 承認

RoHS, AEC-Q101

長さ

15.25mm

幅

10.4 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN
STマイクロエレクトロニクスの炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢なボディダイオード

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