Fairchild Semiconductor MOSFET, Nチャンネル, 4.5 A, 表面実装, 8 ピン, FDS3692

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RS品番:
671-0501
メーカー型番:
FDS3692
メーカー/ブランド名:
Fairchild Semiconductor
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ブランド

Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

4.5 A

最大ドレイン-ソース間電圧

100 V

パッケージタイプ

SOIC

シリーズ

UltraFET

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

60 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

2500 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

Si

幅

4mm

長さ

5mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

11 nC @ 10 V

動作温度 Max

+150 °C

高さ

1.5mm

動作温度 Min

-55 °C

COO（原産国）:
CN

UltraFET® MOSFET、Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理


MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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