自然な形の炭化ケイ素（SiC）は、太陽系よりも古い可能性がありますが、地球の未来を確実にするのに役立つ21世紀の炭化ケイ素トランジスタです。 SiCは、より高い電力密度やより優れた効率など、従来のシリコン技術に比べてかなりの利点を提供します。これにより、SiCは、発電、変換、配電、および貯蔵におけるエネルギー処理アプリケーションに最適です。これらの効率の向上とコンポーネントサイズの利点は、より持続可能な製品設計を実現するのに役立ち、インフィニオン、オンセミ、STMicroelectronics、ROHMなどのブランドからSiCコンポーネントの範囲を拡大し続けています。
シリコンカーバイド製品ラインナップ
ST SiC MOSFETs
拡張された電圧範囲、優れたスイッチング性能、および非常に低いオン状態抵抗を備えたSTのSTPOWERSiCMOSFETポートフォリオをご覧ください。
ST SiC Diodes
ST SiCショットキーダイオードは、大幅な電力損失の削減を特徴としており、ハードスイッチングアプリケーション（ソーラーインバーター、UPSなど）に最適です。
onsemi SiC MOSFETs
ONSEMI SiCMOSFETは、電力損失を低減し、電力密度を高め、動作周波数を高めることにより、最高の効率を提供します。
onsemi SiC Diodes
ONSEMI SiCダイオードには、自動車および産業用アプリケーション向けに特別に設計されたAEC-Q101認定およびPPAP対応のオプションが含まれています。
2ASC-12A1HP 1200V SiC Driver
Microchip AgileSwitch 1200Vデュアルチャネル拡張高性能SiCドライバーコア、および互換性のあるモジュールとボード。
2ASC-17A1HP 1700V SiC Driver
Microchip AgileSwitch 1700Vデュアルチャネル拡張高性能SiCドライバーコア、および互換性のあるモジュールとボード。
Infineon SiC MOSFETs
Infineon CoolSiC™SiCMOSFETは、パフォーマンスと信頼性の組み合わせを支援する最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されています。
Infineon SiC Diodes
Infineon CoolSiC™SiCショットキーバリアダイオードは、低損失のターンオフ、低静的損失、およびサージ電流能力を向上させます。
EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1 Eval Kit
Infineonのブリッジレストーテムポール評価ボードは、双方向電源機能を備えた完全なシステムソリューションPFCです。
Rohm SiC MOSFETs
トレンチゲートタイプのSiCMOSFETのROHMSCT3シリーズは、オン抵抗が低く、高効率を必要とするアプリケーションに最適です。
