Texas Instruments

ディスクリート・ディスクリート半導体

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商品の概要
RS品番 / メーカー型番
  • ¥206.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET40 V 75 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流75 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧40 V
  • シリーズNexFET
  • パッケージタイプVSONP
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  • ¥87.22
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3.1 A 表面実装 パッケージPICOSTAR 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流3.1 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • シリーズFemtoFET
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  • ¥39.996
    購入単位は3000個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 8.8V, TPD4E02B04QDQARQ1
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧8.8V
  • 最小ブレークダウン電圧7.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプUSON
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  • ¥55.044
    購入単位は250個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–12 V 2.9 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流2.9 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–12 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥12.276
    購入単位は3000個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流3 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
  • シリーズNexFET
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  • ¥91.20
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 8.8V, TPD4E02B04QDQARQ1
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧8.8V
  • 最小ブレークダウン電圧7.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプUSON
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  • ¥96.00
    購入単位は10個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 単方向, 表面実装, 8V, TPD4EUSB30DQAR
  • 方向性タイプ単方向
  • ダイオード構成アレイ
  • 最大クランピング電圧8V
  • 最小ブレークダウン電圧7V
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥115.04
    購入単位は25個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流12 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
  • シリーズNexFET
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  • ¥115.60
    購入単位は10個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–12 V 2.9 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流2.9 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–12 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥32.96
    購入単位は50個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流3 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
  • シリーズNexFET
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  • ¥22.176
    購入単位は4000個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 10.9V, TPD4E1B06DRLR
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧10.9V
  • 最小ブレークダウン電圧9.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5X3
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  • ¥53.43
    購入単位は3000個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 表面実装, TPD6F002DSVR
  • ダイオード構成アレイ
  • 最小ブレークダウン電圧6V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSON
  • ピン数12
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  • ¥105.336
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 14 A 表面実装 パッケージVSONP
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流14 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSONP
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥119.278
    購入単位は2500個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
  • シリーズNexFET
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  • ¥69.796
    購入単位は250個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–20 V -3.6 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流-3.6 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–20 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥113.10
    購入単位は10個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 19V, TPD1E0B04DPYT
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧19V
  • 最小ブレークダウン電圧6.7V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプX1SON
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  • ¥54.36
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 10.9V, TPD4E1B06DRLR
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧10.9V
  • 最小ブレークダウン電圧9.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5X3
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  • ¥63.04
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 表面実装, TPD6F002DSVR
  • ダイオード構成アレイ
  • 最小ブレークダウン電圧6V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSON
  • ピン数12
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  • ¥125.29
    購入単位は2500個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET25 V 100 A 表面実装 パッケージVSON-CLIP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧25 V
  • パッケージタイプVSON-CLIP
  • シリーズNexFET
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  • ¥97.516
    購入単位は250個
Texas Instruments TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 25V, TPD4E001DPKT
  • ダイオード構成アレイ
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧25V
  • 最小ブレークダウン電圧11V
  • 実装タイプ表面実装
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よくある質問
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cs@rs-components.jp
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