Texas Instruments

ディスクリート・ディスクリート半導体

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商品の概要
RS品番 / メーカー型番
  • ¥105.336
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 14 A 表面実装 パッケージVSONP
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流14 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSONP
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥320.20
    購入単位は5個
Texas Instruments TVSダイオード, 表面実装, SN65240PW
  • ダイオード構成コモンアノード
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプTSSOP
  • ピン数8
  • 1チップ当たりのエレメント数2
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  • ¥70.388
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流2.3 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥76.132
    購入単位は250個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 15V, TPD1E01B04DPYT
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧15V
  • 最小ブレークダウン電圧6.4V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプX2SON
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  • ¥113.10
    購入単位は10個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 19V, TPD1E0B04DPYT
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧19V
  • 最小ブレークダウン電圧6.7V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプX1SON
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  • ¥33.125
    購入単位は2000個
Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ, 50 V, 16-Pin TSSOP
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧50 V
  • パッケージタイプTSSOP
  • ピン数16
  • 1チップ当たりのエレメント数1
ダーリントントランジスタ・ ダーリントン接続の同類品を見る
  • ¥54.36
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 10.9V, TPD4E1B06DRLR
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧10.9V
  • 最小ブレークダウン電圧9.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5X3
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  • ¥115.60
    購入単位は10個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–12 V 2.9 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流2.9 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–12 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥97.516
    購入単位は250個
Texas Instruments TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 25V, TPD4E001DPKT
  • 方向性タイプ単方向
  • ダイオード構成アレイ
  • 最大クランピング電圧25V
  • 最小ブレークダウン電圧11V
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥965.50
    購入単位は2個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 200 A 表面実装 パッケージD²PAK 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流200 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプD²PAK
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥36.064
    購入単位は250個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET20 V 3 A 表面実装 パッケージDSBGA 6 ピン
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流3 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧20 V
  • シリーズNexFET
  • パッケージタイプDSBGA
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  • ¥123.20
    購入単位は10個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 50 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流50 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • シリーズNexFET
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
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  • ¥58.12
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 9.7V, TPD2E2U06DRLR
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧9.7V
  • 最小ブレークダウン電圧6.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5x3
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  • ¥374.20
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 200 A 表面実装 パッケージDDPAK/ TO-263
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流200 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • パッケージタイプDDPAK/ TO-263
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥82.864
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 14 A 表面実装 パッケージVSON-CLIP
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流14 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSON-CLIP
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥95.536
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET20 V 5 A 表面実装 パッケージWSON
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流5 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧20 V
  • パッケージタイプWSON
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥428.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 200 A 表面実装 パッケージDDPAK/ TO-263
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流200 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • パッケージタイプDDPAK/ TO-263
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥12.276
    購入単位は3000個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流3 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
  • シリーズNexFET
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  • ¥171.60
    購入単位は10個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 14 A 表面実装 パッケージVSONP
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流14 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSONP
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥69.796
    購入単位は250個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–20 V -3.6 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流-3.6 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–20 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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よくある質問
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