Texas Instruments ディスクリート・ディスクリート半導体| RS

Texas Instruments

ディスクリート・ディスクリート半導体

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商品の概要
RS品番 / メーカー型番
  • ¥104.416
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージVSON 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプVSON
  • シリーズNexFET
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  • ¥639.00購入単位は個
Texas Instruments トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, LM395T/NOPB
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大DCコレクタ電流1 A
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧36 V
  • パッケージタイプTO-220
  • 実装タイプスルーホール
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  • ¥51.94
    購入単位は2500個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET25 V 60 A 表面実装 パッケージSON 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流60 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧25 V
  • シリーズNexFET
  • パッケージタイプSON
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  • ¥216.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET20 V 104 A 表面実装 パッケージVSON-CLIP 8 ピン
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流104 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧20 V
  • パッケージタイプVSON-CLIP
  • シリーズNexFET
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  • ¥235.20
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプVSONP
  • シリーズNexFET
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  • ¥36.064
    購入単位は2500個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 47 A 表面実装 パッケージSON 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流47 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプSON
  • シリーズNexFET
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  • ¥106.524
    購入単位は2500個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプVSONP
  • シリーズNexFET
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  • ¥230.40
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプVSONP
  • シリーズNexFET
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  • ¥73.96
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 単方向, 表面実装, 100V, TPD6E001RSER
  • 方向性タイプ単方向
  • ダイオード構成コンプレックスアレイ
  • 最大クランピング電圧100V
  • 最小ブレークダウン電圧11V
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥27.324
    購入単位は3000個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 単方向, 表面実装, 100V, TPD6E001RSER
  • 方向性タイプ単方向
  • ダイオード構成コンプレックスアレイ
  • 最大クランピング電圧100V
  • 最小ブレークダウン電圧11V
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥226.58
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET80 V 157 A 表面実装 パッケージVSON-CLIP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流157 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧80 V
  • パッケージタイプVSON-CLIP
  • シリーズNexFET
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  • ¥384.00
    購入単位は2個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET80 V 157 A 表面実装 パッケージVSON-CLIP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流157 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧80 V
  • シリーズNexFET
  • パッケージタイプVSON-CLIP
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  • ¥767.50
    購入単位は2個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 259 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流259 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • パッケージタイプTO-220
  • シリーズNexFET
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  • ¥410.06
    購入単位は50個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 259 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流259 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • パッケージタイプTO-220
  • シリーズNexFET
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  • ¥297.00
    購入単位は5個
Texas Instruments TVSダイオード, スルーホール, SN65240P
  • ダイオード構成コモンアノード
  • 実装タイプスルーホール
  • パッケージタイプPDIP
  • ピン数8
  • 1チップ当たりのエレメント数2
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  • ¥248.00
    購入単位は50個
Texas Instruments TVSダイオード, スルーホール, SN65240P
  • ダイオード構成コモンアノード
  • 実装タイプスルーホール
  • パッケージタイプPDIP
  • ピン数8
  • 1チップ当たりのエレメント数2
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  • ¥112.05
    購入単位は20個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3.1 A 表面実装 パッケージPICOSTAR 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流3.1 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • シリーズFemtoFET
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  • ¥87.22
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3.1 A 表面実装 パッケージPICOSTAR 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流3.1 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • シリーズFemtoFET
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  • ¥42.587
    購入単位は3000個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 単方向, 表面実装, TPD4S010DQAR
  • 方向性タイプ単方向
  • ダイオード構成コンプレックスアレイ
  • 最小ブレークダウン電圧9V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプUSON
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  • ¥206.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET40 V 75 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流75 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧40 V
  • パッケージタイプVSONP
  • シリーズNexFET
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