Texas Instruments

ディスクリート・ディスクリート半導体

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商品の概要
RS品番 / メーカー型番
  • ¥206.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET40 V 75 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流75 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧40 V
  • シリーズNexFET
  • パッケージタイプVSONP
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  • ¥26.166
    購入単位は4000個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, TPD4E002DRLR
  • ダイオード構成コモンアノード
  • 1チップ当たりのエレメント数4
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥428.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 200 A 表面実装 パッケージDDPAK/ TO-263
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流200 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • パッケージタイプDDPAK/ TO-263
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥14.75
    購入単位は3000個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 15V, TPD4E1U06DCKR
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧15V
  • 最小ブレークダウン電圧6.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSC-70
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥54.848
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 1.5 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流1.5 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥294.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET25 V 100 A 表面実装 パッケージVSON-CLIP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧25 V
  • パッケージタイプVSON-CLIP
  • シリーズNexFET
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  • ¥55.044
    購入単位は250個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–12 V 2.9 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流2.9 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–12 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥54.747
    購入単位は2500個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流12 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • シリーズNexFET
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
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  • ¥27.621
    購入単位は2000個
Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタアレイ, 50 V, 500 mA, 16-Pin TSSOP
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大連続コレクタ電流500 mA
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧50 V
  • パッケージタイプTSSOP
  • ピン数16
ダーリントントランジスタ・ ダーリントン接続の同類品を見る
  • ¥44.00
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 15V, TPD4E1U06DCKR
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧15V
  • 最小ブレークダウン電圧6.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSC-70
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥22.176
    購入単位は4000個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 10.9V, TPD4E1B06DRLR
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧10.9V
  • 最小ブレークダウン電圧9.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5X3
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  • ¥76.30
    購入単位は10個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 1.5 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流1.5 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥76.132
    購入単位は250個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 15V, TPD1E01B04DPYT
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧15V
  • 最小ブレークダウン電圧6.4V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプX2SON
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  • ¥115.60
    購入単位は10個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–12 V 2.9 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流2.9 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–12 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥115.04
    購入単位は25個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流12 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
  • シリーズNexFET
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  • ¥1,074.853
    購入単位は75個
Texas Instruments 定電流ダイオード, 8-Pin SOIC
  • ダイオード構成シングル
  • 最大レギュレータ電流100µA
  • 1チップ当たりのエレメント数3
  • 最大ピーク動作電圧40V
  • 最小ダイナミックインピーダンス500MΩ
定電流ダイオード・CRDの同類品を見る
  • ¥11.09
    購入単位は10000個
Texas Instruments TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 6.5V, ESD351DPYR
  • 方向性タイプ単方向
  • ダイオード構成シングル
  • 最大クランピング電圧6.5V
  • 最小ブレークダウン電圧4.5V
  • 実装タイプ表面実装
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥41.20
    購入単位は25個
Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタアレイ, 50 V, 500 mA, 16-Pin TSSOP
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大連続コレクタ電流500 mA
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧50 V
  • パッケージタイプTSSOP
  • ピン数16
ダーリントントランジスタ・ ダーリントン接続の同類品を見る
  • ¥54.36
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 10.9V, TPD4E1B06DRLR
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧10.9V
  • 最小ブレークダウン電圧9.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5X3
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥49.04
    購入単位は25個
Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ, 50 V, 16-Pin SOIC
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧50 V
  • パッケージタイプSOIC
  • ピン数16
  • 1チップ当たりのエレメント数7
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よくある質問
お問合わせは次のメールアドレスまで
cs@rs-components.jp
045-335-8888(平日9:00-18:00)