Texas Instruments

ディスクリート・ディスクリート半導体

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商品の概要
RS品番 / メーカー型番
  • ¥96.00
    購入単位は10個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 単方向, 表面実装, 8V, TPD4EUSB30DQAR
  • 方向性タイプ単方向
  • ダイオード構成アレイ
  • 最大クランピング電圧8V
  • 最小ブレークダウン電圧7V
  • 実装タイプ表面実装
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥64.052
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET12 V 2.9 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流2.9 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧12 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥63.04
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護アレイ, 表面実装, TPD6F002DSVR
  • ダイオード構成アレイ
  • 最小ブレークダウン電圧6V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSON
  • ピン数12
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  • ¥95.40
    購入単位は10個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 73 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流73 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプVSONP
  • シリーズNexFET
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  • ¥103.00
    購入単位は10個
Texas Instruments Pチャンネル MOSFET–20 V -3.6 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流-3.6 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧–20 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥80.092
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET12 V 3.5 A 表面実装 パッケージDSBGA
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流3.5 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧12 V
  • パッケージタイプDSBGA
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥97.516
    購入単位は250個
Texas Instruments TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 25V, TPD4E001DPKT
  • ダイオード構成アレイ
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧25V
  • 最小ブレークダウン電圧11V
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥44.00
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 15V, TPD4E1U06DCKR
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧15V
  • 最小ブレークダウン電圧6.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSC-70
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  • ¥1,674.00購入単位は個
Texas Instruments 定電流ダイオード, 8-Pin SOIC
  • ダイオード構成シングル
  • 1チップ当たりのエレメント数3
  • 最大レギュレータ電流100µA
  • 最大ピーク動作電圧40V
  • 最小ダイナミックインピーダンス500MΩ
定電流ダイオード・CRDの同類品を見る
  • ¥22.176
    購入単位は4000個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 双方向, 表面実装, 10.9V, TPD4E1B06DRLR
  • 方向性タイプ双方向
  • 最大クランピング電圧10.9V
  • 最小ブレークダウン電圧9.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5X3
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥58.12
    購入単位は25個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 9.7V, TPD2E2U06DRLR
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧9.7V
  • 最小ブレークダウン電圧6.5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプSOT-5x3
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  • ¥95.932
    購入単位は250個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET52 A 8 A 表面実装 パッケージPicostar YSE 6
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流8 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧52 A
  • パッケージタイプPicostar YSE 6
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥27.621
    購入単位は2000個
Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタアレイ, 50 V, 500 mA, 16-Pin TSSOP
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大連続コレクタ電流500 mA
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧50 V
  • パッケージタイプTSSOP
  • ピン数16
ダーリントントランジスタ・ ダーリントン接続の同類品を見る
  • ¥54.747
    購入単位は2500個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装 パッケージVSONP (仮想化) 8 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流12 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプVSONP (仮想化)
  • シリーズNexFET
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  • ¥428.00
    購入単位は5個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 200 A 表面実装 パッケージDDPAK/ TO-263
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流200 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧100 V
  • パッケージタイプDDPAK/ TO-263
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥149.493
    購入単位は150個
Texas Instruments TVSダイオード, 表面実装, SN65240PW
  • ダイオード構成コモンアノード
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプTSSOP
  • ピン数8
  • 1チップ当たりのエレメント数2
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥96.70
    購入単位は10個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET12 V 2.9 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流2.9 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧12 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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  • ¥16.516
    購入単位は10000個
Texas Instruments ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 8.9V, TPD1E04U04DPYR
  • 方向性タイプ単方向
  • 最大クランピング電圧8.9V
  • 最小ブレークダウン電圧5V
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプX1SON
TVSダイオード・ESD保護ダイオードの同類品を見る
  • ¥53.325
    購入単位は40個
Texas Instruments NPN ダーリントンペア, 50 V, 500 mA, 16-Pin SOIC
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大連続コレクタ電流500 mA
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧50 V
  • パッケージタイプSOIC
  • 実装タイプ表面実装
ダーリントントランジスタ・ ダーリントン接続の同類品を見る
  • ¥120.70
    購入単位は10個
Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装 パッケージPICOSTAR
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流2.3 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧30 V
  • パッケージタイプPICOSTAR
  • 実装タイプ表面実装
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よくある質問
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