Renesas Electronics

ディスクリート

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商品の概要
RS品番 / メーカー型番
  • ¥11.12
    購入単位は25個
ルネサス, ツェナーダイオード 12V 表面実装 200 mW
  • ダイオード構成シングル
  • 標準ツェナー電圧12V
  • 1チップ当たりのエレメント数1
  • 実装タイプ表面実装
  • 最大パワー消費200 mW
ツェナーダイオードの同類品を見る
  • ¥289.00購入単位は1個
ルネサス, サイリスタ, SCR, 0.3A, 400V, CR02AM-8#F00
  • 定格平均オン電流0.3A
  • サイリスタタイプSCR
  • パッケージタイプTO-92
  • 繰返しピーク逆方向電圧400V
  • サージ電流レーティング10A
サイリスタの同類品を見る
  • ¥98.00
    購入単位は5個
Renesas Electronics NPN トランジスタ スルーホール, 100 V, 5 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大DCコレクタ電流5 A
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧100 V
  • パッケージタイプIPAK (TO-251)
  • 実装タイプスルーホール
バイポーラトランジスタの同類品を見る
  • ¥883.50
    購入単位は2個
Renesas Electronics Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装 パッケージLDPAK-S 3 ピン
  • チャンネルタイプP
  • 最大連続ドレイン電流30 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧60 V
  • パッケージタイプLDPAK-S
  • 実装タイプ表面実装
MOSFETの同類品を見る
  • ¥83.00購入単位は1個
ルネサス, サイリスタ, SCR, 5A, 600V, CR5AS-12#B00
  • 定格平均オン電流5A
  • サイリスタタイプSCR
  • パッケージタイプMP-3A
  • 繰返しピーク逆方向電圧600V
  • サージ電流レーティング90A
サイリスタの同類品を見る
  • ¥337.60
    購入単位は5個
Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET55 V 82 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流82 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧55 V
  • パッケージタイプD2PAK (TO-263)
  • 実装タイプ表面実装
MOSFETの同類品を見る
  • ¥110.30
    購入単位は10個
Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET55 V 52 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流52 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧55 V
  • パッケージタイプDPAK (TO-252)
  • 実装タイプ表面実装
MOSFETの同類品を見る
  • ¥1,463.00購入単位は1個
Renesas Electronics NPN トランジスタ 表面実装, 8 V, 65 mA, 16-Pin SOIC
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大DCコレクタ電流65 mA
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧8 V
  • パッケージタイプSOIC
  • 実装タイプ表面実装
バイポーラトランジスタの同類品を見る
  • ¥1,345.958
    購入単位は48個
Renesas Electronics NPN トランジスタ 表面実装, 8 V, 65 mA, 16-Pin SOIC
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大DCコレクタ電流65 mA
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧8 V
  • パッケージタイプSOIC
  • 実装タイプ表面実装
バイポーラトランジスタの同類品を見る
  • ¥1,440.00購入単位は1個
Renesas Electronics NPN トランジスタ 表面実装, 8 V, 30 mA, 8-Pin SOIC
  • トランジスタタイプNPN
  • 最大DCコレクタ電流30 mA
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧8 V
  • パッケージタイプSOIC
  • 実装タイプ表面実装
バイポーラトランジスタの同類品を見る
  • ¥8.20
    50 個
ルネサス, ツェナーダイオード 120V 表面実装 200 mW
  • 標準ツェナー電圧120V
  • ダイオード構成シングル
  • 実装タイプ表面実装
  • 1チップ当たりのエレメント数1
  • 最大パワー消費200 mW
ツェナーダイオードの同類品を見る
  • ¥28.60
    購入単位は25個
ルネサス, ツェナーダイオード 11V 表面実装 200 mW
  • 標準ツェナー電圧11V
  • ダイオード構成シングル
  • 1チップ当たりのエレメント数1
  • 実装タイプ表面実装
  • 最大パワー消費200 mW
ツェナーダイオードの同類品を見る
  • ¥94.85
    購入単位は20個
Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET43 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-346T (SC-96) 3 ピン
  • チャンネルタイプN
  • 最大連続ドレイン電流4 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧43 V
  • パッケージタイプSOT-346T (SC-96)
  • 実装タイプ表面実装
MOSFETの同類品を見る
  • ¥19.60
    購入単位は25個
ルネサス, ツェナーダイオード 3V 表面実装 200 mW
  • ダイオード構成シングル
  • 標準ツェナー電圧3V
  • 1チップ当たりのエレメント数1
  • 実装タイプ表面実装
  • 最大パワー消費200 mW
ツェナーダイオードの同類品を見る
  • ¥170.25
    購入単位は4個
Renesas Electronics Nチャンネル IGBT 400 V 150 A (パルス), 8-Pin TSOJ シングル
  • 最大連続コレクタ電流150 A (パルス)
  • 最大コレクタ- エミッタ間電圧400 V
  • 最大ゲート-エミッタ間電圧±6V
  • 最大パワー消費1.6 W
  • パッケージタイプTSOJ
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の同類品を見る
  • ¥31.40
    購入単位は25個
ルネサス, ツェナーダイオード 10V 表面実装 200 mW
  • 標準ツェナー電圧10V
  • ダイオード構成シングル
  • 実装タイプ表面実装
  • 1チップ当たりのエレメント数1
  • 最大パワー消費200 mW
ツェナーダイオードの同類品を見る
  • ¥230.00
    購入単位は4個
ルネサス, トライアック, 600V, 5A, 3+Tab-Pin MP 3A
  • 定格平均オン電流5A
  • 実装タイプ表面実装
  • パッケージタイプMP 3A
  • 最大ゲートトリガー電流30mA
  • 繰返しピーク逆方向電圧600V
トライアックの同類品を見る
  • ¥140.00
    購入単位は1個
  • ¥158.00
    購入単位は1個
  • ¥32.00
    購入単位は1個
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よくある質問
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